簡(jiǎn)介:
C60-20S 離子源系統是一種高性能離子束,設計用于濺射表面,具有較小的損傷和減少的沿周濺射效應。
C60-20S 離子源系統在高達20 kV的電壓下工作,可有效地濺射材料,且損傷較小,無(wú)需重新沉積碳。
C60是XPS、AES和SIMS的理想升級組件,可在多種材料上均勻濺射。
主要參數:
主要應用 | 濺射 |
光斑尺寸 | 100 µm |
掃描范圍 | 4 x 4 mm |
能耗范圍 | 5 – 20 kV |
電流范圍 | 50 nA |
法蘭至機頭長(cháng)度 | 142 mm |
推薦工作距離 | 50 mm |
電源裝置 | 3U x 19’’ rack mountable unit |
電源要求 | 110-240VAC 13A 50/60Hz |
軟件要求 | PC running Windows 10 or later |
集成法蘭規格 | NW 63 CF |
特點(diǎn):
◇ 電流密度高,蝕刻速度更快;
◇ 與單原子束相比,可減少化學(xué)損傷;
◇ 不同材料和晶體取向的濺射率一致;
◇ 閘閥,便于快速維修;
◇ 源壽命長(cháng);
應用領(lǐng)域:
◇ 聚合物的高速、低化學(xué)損傷蝕刻;
◇ C60離子濺射的速度比單原子束(包括氬和氙)快50倍,同時(shí) 對底層材料造成的損害要小得多;
◇ 下圖比較了15kev的C60濺射產(chǎn)率與15kev金、氙鎵和氬的TRIM數據。在相反的例子中,用C60和單原子氬離子束濺 射清洗PTFE薄膜;
◇ 雖然兩種離子束都去除了表面污染,但只有C60離子束的表 面化學(xué)性質(zhì)沒(méi)有發(fā)生變化;
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